AegisCloud (Shenzhen) Technology Innovation Co., Ltd.
847129466@qq.com 86--18029765641
продукты
продукты
Дом > продукты > Анти- модуль трутня > Подавитель сигнала 100-5850 МГц 50 Вт GaN LDMOS Lora модуль Блокиратор сигнала Антидроновый подавитель Модуль РЧ усилителя мощности

Подавитель сигнала 100-5850 МГц 50 Вт GaN LDMOS Lora модуль Блокиратор сигнала Антидроновый подавитель Модуль РЧ усилителя мощности

Детали продукта

Место происхождения: Китай

Номер модели: Модуль джаммара с сигналом Drone 50 Вт

Условия оплаты & доставки

Количество мин заказа: 1

Цена: $320 - 420

Время доставки: 30

Условия оплаты: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, Moneygram

Поставка способности: 5000 в месяц

Побеседуйте теперь
Выделить:
Частотный диапазон:
420-5850 МГц (индивидуальная частота)
Рабочее напряжение:
28 В (28-32 В)
Максимальная мощность:
47 ± 0,5 дБм (50 Вт@≤3.5a)
Прирост:
42 ± 1 дБ (значение пика до пика)
Колебания в полосе:
≤2 дБ (значение пика)
Ложные выбросы (действующая в полосе):
≤-15 дБм/1 МГц (центральная частота добавить сигнал CW к максимальному выходу мощности)
Сумасшедшая эмиссия (работающая вне полоса, 9 кГц ~ 1 ГГц):
Нет шумовой волны выше нормального основания (DBM)
Поддельная эмиссия (работающая вне полоса, 1G ~ 12,75 ГГц):
Нет шумовой волны выше нормального основания (DBM)
Выход VSWR (без питания):
≤1,30 (без питания: стандартная вывод сетки -10 дБМ)
Выход VSWR (Power Up):
≤1,30 (Power Up: Двойной тест на направленную муфту)
Требование к питанию:
≥4A@+28 В постоянного тока (непрерывная волна выходной сигнал 50 Вт)
Порт питания:
Кабель питания: красный положительный черный негатив (красный положительный черный негатив)
Коннектор RF выхода:
SMA (SMA внешняя винтовая основа)
Частотный диапазон:
420-5850 МГц (индивидуальная частота)
Рабочее напряжение:
28 В (28-32 В)
Максимальная мощность:
47 ± 0,5 дБм (50 Вт@≤3.5a)
Прирост:
42 ± 1 дБ (значение пика до пика)
Колебания в полосе:
≤2 дБ (значение пика)
Ложные выбросы (действующая в полосе):
≤-15 дБм/1 МГц (центральная частота добавить сигнал CW к максимальному выходу мощности)
Сумасшедшая эмиссия (работающая вне полоса, 9 кГц ~ 1 ГГц):
Нет шумовой волны выше нормального основания (DBM)
Поддельная эмиссия (работающая вне полоса, 1G ~ 12,75 ГГц):
Нет шумовой волны выше нормального основания (DBM)
Выход VSWR (без питания):
≤1,30 (без питания: стандартная вывод сетки -10 дБМ)
Выход VSWR (Power Up):
≤1,30 (Power Up: Двойной тест на направленную муфту)
Требование к питанию:
≥4A@+28 В постоянного тока (непрерывная волна выходной сигнал 50 Вт)
Порт питания:
Кабель питания: красный положительный черный негатив (красный положительный черный негатив)
Коннектор RF выхода:
SMA (SMA внешняя винтовая основа)
Подавитель сигнала 100-5850 МГц 50 Вт GaN LDMOS Lora модуль Блокиратор сигнала Антидроновый подавитель Модуль РЧ усилителя мощности
1. Введение в продукт

Модуль подавления сигналов дронов 50 Вт разработан для надежного контроля несанкционированного проникновения дронов. Он прерывает каналы связи между дронами и их контроллерами, спутниками или другими источниками передачи, излучая целевые помеховые сигналы, обеспечивая безопасность в чувствительных или охраняемых зонах.

Основные преимущества:

  • Высокая выходная мощность: Обладает выходной мощностью 50 Вт для обширного и надежного покрытия помехами.
  • Широкое покрытие полосы пропускания: Поддерживает широкий диапазон частотных диапазонов (100–200 МГц, 200–300 МГц, 300–400 МГц, 420–480 МГц, 720–820 МГц, 850–950 МГц, 970–1100 МГц, 1170–1280 МГц, 1550–1650 МГц, 2300–2500 МГц, 5150–5350 МГц, 5400–5700 МГц, 5725–5850 МГц), совместимых с различными протоколами связи дронов.
  • Гибкие варианты схем: Предлагает решения LDMOS, GaN и LoRa GaN для удовлетворения различных требований к производительности, интеграции и применению.
  • Компактный и интегрируемый дизайн: Доступен в компактных размерах (например, 130 мм×45 мм×19 мм, 144 мм×55 мм×22 мм, 103 мм×50 мм×19 мм, 128 мм×35 мм×19 мм) для бесшовной интеграции в системы безопасности.

Применимые сценарии: бесполетные зоны аэропортов, правительственные комплексы, военные базы, места проведения масштабных мероприятий (концерты, выставки), исправительные учреждения и другие объекты с высоким уровнем безопасности.

2. Технические характеристики
Мощность Полоса пропускания Схема Размер Размер (встроенный циркулятор)
50 Вт 100–200 МГц LDMOS 130 мм×45 мм×19 мм
50 Вт 100–200 МГц GaN 130 мм×45 мм×19 мм
50 Вт 100–200 МГц LoRa GaN
50 Вт 200–300 МГц LDMOS 130 мм×45 мм×19 мм
50 Вт 200–300 МГц GaN 130 мм×45 мм×19 мм
50 Вт 200–300 МГц LoRa GaN 130 мм×45 мм×19 мм 144 мм×55 мм×22 мм
50 Вт 300–400 МГц LDMOS 103 мм×50 мм×19 мм
50 Вт 300–400 МГц GaN 103 мм×50 мм×19 мм
50 Вт 300–400 МГц LoRa GaN 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 420–480 МГц LDMOS 130 мм×45 мм×19 мм
50 Вт 420–480 МГц GaN 130 мм×45 мм×19 мм
50 Вт 420–480 МГц LoRa GaN 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 720–820 МГц LDMOS 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 720–820 МГц GaN 130 мм×45 мм×19 мм
50 Вт 720–820 МГц LoRa GaN 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 850–950 МГц LDMOS 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 850–950 МГц GaN 130 мм×45 мм×19 мм
50 Вт 850–950 МГц LoRa GaN 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 970–1100 МГц LDMOS 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 970–1100 МГц GaN 130 мм×45 мм×19 мм
50 Вт 970–1100 МГц LoRa GaN 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 1170–1280 МГц LDMOS 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 1170–1280 МГц GaN 130 мм×45 мм×19 мм
50 Вт 1170–1280 МГц LoRa GaN 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 1550–1650 МГц LDMOS 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 1550–1650 МГц GaN 130 мм×45 мм×19 мм
50 Вт 1550–1650 МГц LoRa GaN 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 2300–2500 МГц LDMOS 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 2300–2500 МГц GaN 130 мм×45 мм×19 мм
50 Вт 2300–2500 МГц LoRa GaN 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 5150–5350 МГц LDMOS 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 5150–5350 МГц GaN 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 5150–5350 МГц LoRa GaN 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 5400–5700 МГц LDMOS 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 5400–5700 МГц GaN 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 5400–5700 МГц LoRa GaN 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 5725–5850 МГц LDMOS 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 5725–5850 МГц GaN 128 мм×35 мм×19 мм
50 Вт 5725–5850 МГц LoRa GaN 128 мм×35 мм×19 мм
3. Технические параметры
Тестовый элемент Технические параметры Единица измерения Примечание
Диапазон частот 420–5850 (Доступна настраиваемая частота) МГц Поддерживается настраиваемая частота
Рабочее напряжение 28 (совместимо с 28–32 В) В Адаптация к широкому напряжению
Максимальная выходная мощность 47±0,5 дБм 50 Вт при ≤3,5 А
Усиление 42±1 дБ значение пик-пик
Флуктуация внутри полосы ≤2 дБ значение пик-пик
Побочные излучения (рабочие внутри полосы) ≤-15 дБм/1 МГц дБм Центральная частота + тест сигнала CW на максимальную выходную мощность
Побочные излучения (рабочие вне полосы, 9 кГц–1 ГГц) Нет шумовой волны выше нормальной базы дБм
Побочные излучения (рабочие вне полосы, 1 ГГц–12,75 ГГц) Нет шумовой волны выше нормальной базы дБм
Выходное КСВН (без включения питания) ≤1,30 Без включения питания: стандартный выход сетки -10 дБм
Выходное КСВН (с включением питания) ≤1,30 Включение питания: тест с двойным направленным ответвителем
Тест при высокой и низкой температуре (рабочая температура окружающей среды) -10~+55 °C Совместимость с холодным запуском
Тест при высокой и низкой температуре (стабильность усиления) ±1,5 дБ при -40°C~+55°C дБ
Тест при высокой и низкой температуре (стабильность мощности) ±1 дБ при -40°C~+55°C дБ
Требования к электропитанию ≥4A@+28 В пост. тока Непрерывный выход волны (50 Вт)
Порт питания Кабель питания: красный положительный/черный отрицательный Красный положительный, черный отрицательный полярность
Разъем РЧ-выхода SMA Внешнее основание с резьбой SMA
4. Часто задаваемые вопросы (FAQ)
В1: С какими протоколами связи дронов совместим этот модуль?

О: Модуль поддерживает широкий диапазон частотных диапазонов связи дронов (например, 100–200 МГц, 200–300 МГц, 300–400 МГц и более высокие диапазоны до 5850 МГц). LoRa GaN схемы обеспечивают улучшенное подавление для дронов, использующих связь LoRa. Также доступны варианты настройки частоты для соответствия конкретным системам дронов.

В2: Как выбрать между LDMOS, GaN и LoRa GaN схемами?

О: - LDMOS: Обеспечивает стабильную производительность при сбалансированной стоимости, идеально подходит для общего подавления дронов.

  • GaN: Обеспечивает высокую эффективность и плотность мощности, подходит для компактных, высокопроизводительных приложений.
  • LoRa GaN: Оптимизирован для подавления дронов со связью на основе LoRa (целевое подавление).
    Выбирайте в зависимости от типа связи целевого дрона, бюджета проекта и требований к производительности.
В3: Поддерживает ли модуль настройку?

О: Да. Настройка частоты доступна (см. «Настраиваемая частота» в примечании «Диапазон частот»). Для оптовых заказов также можно обсудить настройку напряжения (свыше 28–32 В), форм-фактора или разъемов.

В4: Может ли модуль работать при суровых наружных температурах?

О: Да. Диапазон рабочих температур составляет от -10°C до +55°C, и он проходит строгие испытания при высокой и низкой температуре (колебания усиления ≤±1,5 дБ, колебания мощности ≤±1 дБ), обеспечивая надежность в большинстве наружных условий.

В5: Как подключить и запитать модуль?

О: Для питания модулю требуется ≥4A@+28 В пост. тока. В кабеле питания используется полярность «красный положительный, черный отрицательный». РЧ-сигналы выводятся через внешнее основание с резьбой SMA. Обеспечьте правильную полярность питания и совместимость РЧ-разъема во время установки.

аналогичные продукты