Детали продукта
Место происхождения: Китай
Номер модели: Модуль джаммара с сигналом Drone 50 Вт
Условия оплаты & доставки
Количество мин заказа: 1
Цена: $320 - 420
Время доставки: 30
Условия оплаты: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, Moneygram
Поставка способности: 5000 в месяц
Частотный диапазон:
|
420-5850 МГц (индивидуальная частота)
|
Рабочее напряжение:
|
28 В (28-32 В)
|
Максимальная мощность:
|
47 ± 0,5 дБм (50 Вт@≤3.5a)
|
Прирост:
|
42 ± 1 дБ (значение пика до пика)
|
Колебания в полосе:
|
≤2 дБ (значение пика)
|
Ложные выбросы (действующая в полосе):
|
≤-15 дБм/1 МГц (центральная частота добавить сигнал CW к максимальному выходу мощности)
|
Сумасшедшая эмиссия (работающая вне полоса, 9 кГц ~ 1 ГГц):
|
Нет шумовой волны выше нормального основания (DBM)
|
Поддельная эмиссия (работающая вне полоса, 1G ~ 12,75 ГГц):
|
Нет шумовой волны выше нормального основания (DBM)
|
Выход VSWR (без питания):
|
≤1,30 (без питания: стандартная вывод сетки -10 дБМ)
|
Выход VSWR (Power Up):
|
≤1,30 (Power Up: Двойной тест на направленную муфту)
|
Требование к питанию:
|
≥4A@+28 В постоянного тока (непрерывная волна выходной сигнал 50 Вт)
|
Порт питания:
|
Кабель питания: красный положительный черный негатив (красный положительный черный негатив)
|
Коннектор RF выхода:
|
SMA (SMA внешняя винтовая основа)
|
Частотный диапазон:
|
420-5850 МГц (индивидуальная частота)
|
Рабочее напряжение:
|
28 В (28-32 В)
|
Максимальная мощность:
|
47 ± 0,5 дБм (50 Вт@≤3.5a)
|
Прирост:
|
42 ± 1 дБ (значение пика до пика)
|
Колебания в полосе:
|
≤2 дБ (значение пика)
|
Ложные выбросы (действующая в полосе):
|
≤-15 дБм/1 МГц (центральная частота добавить сигнал CW к максимальному выходу мощности)
|
Сумасшедшая эмиссия (работающая вне полоса, 9 кГц ~ 1 ГГц):
|
Нет шумовой волны выше нормального основания (DBM)
|
Поддельная эмиссия (работающая вне полоса, 1G ~ 12,75 ГГц):
|
Нет шумовой волны выше нормального основания (DBM)
|
Выход VSWR (без питания):
|
≤1,30 (без питания: стандартная вывод сетки -10 дБМ)
|
Выход VSWR (Power Up):
|
≤1,30 (Power Up: Двойной тест на направленную муфту)
|
Требование к питанию:
|
≥4A@+28 В постоянного тока (непрерывная волна выходной сигнал 50 Вт)
|
Порт питания:
|
Кабель питания: красный положительный черный негатив (красный положительный черный негатив)
|
Коннектор RF выхода:
|
SMA (SMA внешняя винтовая основа)
|
Модуль подавления сигналов дронов 50 Вт разработан для надежного контроля несанкционированного проникновения дронов. Он прерывает каналы связи между дронами и их контроллерами, спутниками или другими источниками передачи, излучая целевые помеховые сигналы, обеспечивая безопасность в чувствительных или охраняемых зонах.
Основные преимущества:
Применимые сценарии: бесполетные зоны аэропортов, правительственные комплексы, военные базы, места проведения масштабных мероприятий (концерты, выставки), исправительные учреждения и другие объекты с высоким уровнем безопасности.
Мощность | Полоса пропускания | Схема | Размер | Размер (встроенный циркулятор) |
---|---|---|---|---|
50 Вт | 100–200 МГц | LDMOS | 130 мм×45 мм×19 мм | – |
50 Вт | 100–200 МГц | GaN | 130 мм×45 мм×19 мм | – |
50 Вт | 100–200 МГц | LoRa GaN | – | – |
50 Вт | 200–300 МГц | LDMOS | 130 мм×45 мм×19 мм | – |
50 Вт | 200–300 МГц | GaN | 130 мм×45 мм×19 мм | – |
50 Вт | 200–300 МГц | LoRa GaN | 130 мм×45 мм×19 мм | 144 мм×55 мм×22 мм |
50 Вт | 300–400 МГц | LDMOS | – | 103 мм×50 мм×19 мм |
50 Вт | 300–400 МГц | GaN | – | 103 мм×50 мм×19 мм |
50 Вт | 300–400 МГц | LoRa GaN | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
50 Вт | 420–480 МГц | LDMOS | 130 мм×45 мм×19 мм | – |
50 Вт | 420–480 МГц | GaN | 130 мм×45 мм×19 мм | – |
50 Вт | 420–480 МГц | LoRa GaN | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
50 Вт | 720–820 МГц | LDMOS | 128 мм×35 мм×19 мм | – |
50 Вт | 720–820 МГц | GaN | 130 мм×45 мм×19 мм | – |
50 Вт | 720–820 МГц | LoRa GaN | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
50 Вт | 850–950 МГц | LDMOS | 128 мм×35 мм×19 мм | – |
50 Вт | 850–950 МГц | GaN | 130 мм×45 мм×19 мм | – |
50 Вт | 850–950 МГц | LoRa GaN | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
50 Вт | 970–1100 МГц | LDMOS | 128 мм×35 мм×19 мм | – |
50 Вт | 970–1100 МГц | GaN | 130 мм×45 мм×19 мм | – |
50 Вт | 970–1100 МГц | LoRa GaN | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
50 Вт | 1170–1280 МГц | LDMOS | 128 мм×35 мм×19 мм | – |
50 Вт | 1170–1280 МГц | GaN | 130 мм×45 мм×19 мм | – |
50 Вт | 1170–1280 МГц | LoRa GaN | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
50 Вт | 1550–1650 МГц | LDMOS | 128 мм×35 мм×19 мм | – |
50 Вт | 1550–1650 МГц | GaN | 130 мм×45 мм×19 мм | – |
50 Вт | 1550–1650 МГц | LoRa GaN | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
50 Вт | 2300–2500 МГц | LDMOS | 128 мм×35 мм×19 мм | – |
50 Вт | 2300–2500 МГц | GaN | 130 мм×45 мм×19 мм | – |
50 Вт | 2300–2500 МГц | LoRa GaN | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
50 Вт | 5150–5350 МГц | LDMOS | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
50 Вт | 5150–5350 МГц | GaN | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
50 Вт | 5150–5350 МГц | LoRa GaN | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
50 Вт | 5400–5700 МГц | LDMOS | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
50 Вт | 5400–5700 МГц | GaN | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
50 Вт | 5400–5700 МГц | LoRa GaN | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
50 Вт | 5725–5850 МГц | LDMOS | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
50 Вт | 5725–5850 МГц | GaN | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
50 Вт | 5725–5850 МГц | LoRa GaN | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
Тестовый элемент | Технические параметры | Единица измерения | Примечание |
---|---|---|---|
Диапазон частот | 420–5850 (Доступна настраиваемая частота) | МГц | Поддерживается настраиваемая частота |
Рабочее напряжение | 28 (совместимо с 28–32 В) | В | Адаптация к широкому напряжению |
Максимальная выходная мощность | 47±0,5 | дБм | 50 Вт при ≤3,5 А |
Усиление | 42±1 | дБ | значение пик-пик |
Флуктуация внутри полосы | ≤2 | дБ | значение пик-пик |
Побочные излучения (рабочие внутри полосы) | ≤-15 дБм/1 МГц | дБм | Центральная частота + тест сигнала CW на максимальную выходную мощность |
Побочные излучения (рабочие вне полосы, 9 кГц–1 ГГц) | Нет шумовой волны выше нормальной базы | дБм | – |
Побочные излучения (рабочие вне полосы, 1 ГГц–12,75 ГГц) | Нет шумовой волны выше нормальной базы | дБм | – |
Выходное КСВН (без включения питания) | ≤1,30 | – | Без включения питания: стандартный выход сетки -10 дБм |
Выходное КСВН (с включением питания) | ≤1,30 | – | Включение питания: тест с двойным направленным ответвителем |
Тест при высокой и низкой температуре (рабочая температура окружающей среды) | -10~+55 | °C | Совместимость с холодным запуском |
Тест при высокой и низкой температуре (стабильность усиления) | ±1,5 дБ при -40°C~+55°C | дБ | – |
Тест при высокой и низкой температуре (стабильность мощности) | ±1 дБ при -40°C~+55°C | дБ | – |
Требования к электропитанию | ≥4A@+28 В пост. тока | – | Непрерывный выход волны (50 Вт) |
Порт питания | Кабель питания: красный положительный/черный отрицательный | – | Красный положительный, черный отрицательный полярность |
Разъем РЧ-выхода | SMA | – | Внешнее основание с резьбой SMA |
О: Модуль поддерживает широкий диапазон частотных диапазонов связи дронов (например, 100–200 МГц, 200–300 МГц, 300–400 МГц и более высокие диапазоны до 5850 МГц). LoRa GaN схемы обеспечивают улучшенное подавление для дронов, использующих связь LoRa. Также доступны варианты настройки частоты для соответствия конкретным системам дронов.
О: - LDMOS: Обеспечивает стабильную производительность при сбалансированной стоимости, идеально подходит для общего подавления дронов.
О: Да. Настройка частоты доступна (см. «Настраиваемая частота» в примечании «Диапазон частот»). Для оптовых заказов также можно обсудить настройку напряжения (свыше 28–32 В), форм-фактора или разъемов.
О: Да. Диапазон рабочих температур составляет от -10°C до +55°C, и он проходит строгие испытания при высокой и низкой температуре (колебания усиления ≤±1,5 дБ, колебания мощности ≤±1 дБ), обеспечивая надежность в большинстве наружных условий.
О: Для питания модулю требуется ≥4A@+28 В пост. тока. В кабеле питания используется полярность «красный положительный, черный отрицательный». РЧ-сигналы выводятся через внешнее основание с резьбой SMA. Обеспечьте правильную полярность питания и совместимость РЧ-разъема во время установки.