제품 상세정보
원래 장소: 중국
모델 번호: 50W 드론 신호 잠머리 모듈
지불과 운송 용어
최소 주문 수량: 1
가격: $320 - 420
배달 시간: 30
지불 조건: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
공급 능력: 한 달에 5000
주파수 범위:
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420-5850 MHz (맞춤형 주파수)
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작동 전압:
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28V (28-32V)
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최대출력전력:
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47 ± 0.5 dbm (50w@≤3.5a)
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얻다:
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42 ± 1 DB (피크 대 피크 값)
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대역 내 변동:
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≤2 dB (피크-피크 값)
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가짜 배출 (대역 내 작동):
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≤-15 dbm/1MHz (중앙 주파수 최대 전력 출력 테스트에 CW 신호 추가)
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가짜 배출 (대역 밖, 9kHz ~ 1GHz):
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정상베이스 (DBM) 이상의 소음파 없음
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가짜 배출 (대역 밖에서 작동, 1g ~ 12.75GHz):
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정상베이스 (DBM) 이상의 소음파 없음
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출력 VSWR (전원이 없음):
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≤1.30 (전원 없음 : 표준 그리드 출력 -10dbm)
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출력 VSWR (전원업):
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≤1.30 (파워 업 : 이중 방향 커플러 테스트)
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전원 공급 장치 요구 사항:
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≥4a@+28VDC (연속 파 출력 50W)
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전원 공급 포트:
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전원 케이블 : 빨간색 양극 검은 음성 (빨간색 양극 검은 음성)
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RF 출력 연결기:
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SMA (SMA 외부 스크류베이스)
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주파수 범위:
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420-5850 MHz (맞춤형 주파수)
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작동 전압:
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28V (28-32V)
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최대출력전력:
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47 ± 0.5 dbm (50w@≤3.5a)
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얻다:
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42 ± 1 DB (피크 대 피크 값)
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대역 내 변동:
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≤2 dB (피크-피크 값)
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가짜 배출 (대역 내 작동):
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≤-15 dbm/1MHz (중앙 주파수 최대 전력 출력 테스트에 CW 신호 추가)
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가짜 배출 (대역 밖, 9kHz ~ 1GHz):
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정상베이스 (DBM) 이상의 소음파 없음
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가짜 배출 (대역 밖에서 작동, 1g ~ 12.75GHz):
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정상베이스 (DBM) 이상의 소음파 없음
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출력 VSWR (전원이 없음):
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≤1.30 (전원 없음 : 표준 그리드 출력 -10dbm)
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출력 VSWR (전원업):
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≤1.30 (파워 업 : 이중 방향 커플러 테스트)
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전원 공급 장치 요구 사항:
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≥4a@+28VDC (연속 파 출력 50W)
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전원 공급 포트:
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전원 케이블 : 빨간색 양극 검은 음성 (빨간색 양극 검은 음성)
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RF 출력 연결기:
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SMA (SMA 외부 스크류베이스)
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50W 드론 신호 방해 모듈은 무단 드론 침입을 강력하게 제어하도록 설계되었습니다. 이 모듈은 드론과 드론의 컨트롤러, 위성 또는 기타 전송 소스 간의 통신 링크를 차단하여, 민감하거나 제한된 구역의 보안을 보장하기 위해 표적 간섭 신호를 방출합니다.
주요 장점:
적용 시나리오: 공항 비행 금지 구역, 정부 구역, 군사 기지, 대규모 행사 장소(콘서트, 전시회), 교정 시설 및 기타 고도의 보안 환경.
전력 | 대역폭 | 방식 | 크기 | 크기(내장형 서큘레이터) |
---|---|---|---|---|
50W | 100–200MHz | LDMOS | 130mm×45mm×19mm | – |
50W | 100–200MHz | GaN | 130mm×45mm×19mm | – |
50W | 100–200MHz | LoRa GaN | – | – |
50W | 200–300MHz | LDMOS | 130mm×45mm×19mm | – |
50W | 200–300MHz | GaN | 130mm×45mm×19mm | – |
50W | 200–300MHz | LoRa GaN | 130mm×45mm×19mm | 144mm×55mm×22mm |
50W | 300–400MHz | LDMOS | – | 103mm×50mm×19mm |
50W | 300–400MHz | GaN | – | 103mm×50mm×19mm |
50W | 300–400MHz | LoRa GaN | – | 128mm×35mm×19mm |
50W | 420–480MHz | LDMOS | 130mm×45mm×19mm | – |
50W | 420–480MHz | GaN | 130mm×45mm×19mm | – |
50W | 420–480MHz | LoRa GaN | – | 128mm×35mm×19mm |
50W | 720–820MHz | LDMOS | 128mm×35mm×19mm | – |
50W | 720–820MHz | GaN | 130mm×45mm×19mm | – |
50W | 720–820MHz | LoRa GaN | – | 128mm×35mm×19mm |
50W | 850–950MHz | LDMOS | 128mm×35mm×19mm | – |
50W | 850–950MHz | GaN | 130mm×45mm×19mm | – |
50W | 850–950MHz | LoRa GaN | – | 128mm×35mm×19mm |
50W | 970–1100MHz | LDMOS | 128mm×35mm×19mm | – |
50W | 970–1100MHz | GaN | 130mm×45mm×19mm | – |
50W | 970–1100MHz | LoRa GaN | – | 128mm×35mm×19mm |
50W | 1170–1280MHz | LDMOS | 128mm×35mm×19mm | – |
50W | 1170–1280MHz | GaN | 130mm×45mm×19mm | – |
50W | 1170–1280MHz | LoRa GaN | – | 128mm×35mm×19mm |
50W | 1550–1650MHz | LDMOS | 128mm×35mm×19mm | – |
50W | 1550–1650MHz | GaN | 130mm×45mm×19mm | – |
50W | 1550–1650MHz | LoRa GaN | – | 128mm×35mm×19mm |
50W | 2300–2500MHz | LDMOS | 128mm×35mm×19mm | – |
50W | 2300–2500MHz | GaN | 130mm×45mm×19mm | – |
50W | 2300–2500MHz | LoRa GaN | – | 128mm×35mm×19mm |
50W | 5150–5350MHz | LDMOS | – | 128mm×35mm×19mm |
50W | 5150–5350MHz | GaN | – | 128mm×35mm×19mm |
50W | 5150–5350MHz | LoRa GaN | – | 128mm×35mm×19mm |
50W | 5400–5700MHz | LDMOS | – | 128mm×35mm×19mm |
50W | 5400–5700MHz | GaN | – | 128mm×35mm×19mm |
50W | 5400–5700MHz | LoRa GaN | – | 128mm×35mm×19mm |
50W | 5725–5850MHz | LDMOS | – | 128mm×35mm×19mm |
50W | 5725–5850MHz | GaN | – | 128mm×35mm×19mm |
50W | 5725–5850MHz | LoRa GaN | – | 128mm×35mm×19mm |
테스트 항목 | 기술 매개변수 | 단위 | 비고 |
---|---|---|---|
주파수 범위 | 420–5850(사용자 정의 주파수 사용 가능) | MHz | 사용자 정의 주파수 지원 |
작동 전압 | 28(28–32V 호환) | V | 광범위한 전압 적응 |
최대 전력 출력 | 47±0.5 | dBm | 50W@≤3.5A |
이득 | 42±1 | dB | 피크 투 피크 값 |
대역 내 변동 | ≤2 | dB | 피크 투 피크 값 |
스퓨리어스 방출(대역 내 작동) | ≤-15dBm/1MHz | dBm | 중심 주파수 + CW 신호에서 최대 전력 출력 테스트 |
스퓨리어스 방출(대역 외 작동, 9KHz–1GHz) | 정상 기준선 이상의 노이즈 파 없음 | dBm | – |
스퓨리어스 방출(대역 외 작동, 1G–12.75GHz) | 정상 기준선 이상의 노이즈 파 없음 | dBm | – |
출력 VSWR(전원 켜짐 없음) | ≤1.30 | – | 전원 켜짐 없음: 표준 그리드 출력 -10dBm |
출력 VSWR(전원 켜짐) | ≤1.30 | – | 전원 켜짐: 양방향 커플러 테스트 |
고온-저온 테스트(작동 주변 온도) | -10~+55 | °C | 콜드 스타트 호환 |
고온-저온 테스트(이득 안정성) | ±1.5dB @ -40°C~+55°C | dB | – |
고온-저온 테스트(전력 안정성) | ±1dB @ -40°C~+55°C | dB | – |
전원 공급 요구 사항 | ≥4A@+28Vdc | – | 연속파 출력(50W) |
전원 공급 포트 | 전원 케이블: 빨간색 양극/검은색 음극 | – | 빨간색 양극, 검은색 음극 극성 |
RF 출력 커넥터 | SMA | – | SMA 외부 나사 베이스 |
A: 이 모듈은 광범위한 드론 통신 주파수 대역(예: 100–200MHz, 200–300MHz, 300–400MHz 및 최대 5850MHz의 더 높은 대역)을 지원합니다. LoRa GaN 방식은 LoRa 통신을 사용하는 드론에 대한 향상된 간섭을 제공합니다. 특정 드론 시스템에 맞게 사용자 정의 주파수 옵션도 사용할 수 있습니다.
A: - LDMOS: 균형 잡힌 비용으로 안정적인 성능을 제공하며 일반적인 드론 재밍에 이상적입니다.
A: 예. 주파수 사용자 정의가 가능합니다(“주파수 범위” 비고에서 “사용자 정의 주파수” 참조). 대량 주문의 경우 전압(28–32V 이상), 폼 팩터 또는 커넥터의 사용자 정의도 논의할 수 있습니다.
A: 예. 작동 온도 범위는 -10°C ~ +55°C이며, 엄격한 고온-저온 테스트(이득 변동 ≤±1.5dB, 전력 변동 ≤±1dB)를 거쳐 대부분의 실외 환경에서 안정성을 보장합니다.
A: 모듈에는 전원 공급을 위해 ≥4A@+28Vdc가 필요합니다. 전원 케이블은 “빨간색 양극, 검은색 음극” 극성을 사용합니다. RF 신호는 SMA 외부 나사 베이스를 통해 출력됩니다. 설치 시 올바른 전원 극성 및 RF 커넥터 호환성을 확인하십시오.