AegisCloud (Shenzhen) Technology Innovation Co., Ltd.
847129466@qq.com
86--18029765641
Szczegóły produktu
Miejsce pochodzenia: Chiny
Numer modelu: Moduł Jammer sygnał dronu 50 W
Warunki płatności i wysyłki
Minimalne zamówienie: 1
Cena: ＄320 - 420
Czas dostawy: 30
Zasady płatności: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, Moneygram
Możliwość Supply: 5000 miesięcznie
|
Zakres częstotliwości:
|
420-5850 MHz (niestandardowa częstotliwość)
|
Napięcie robocze:
|
28 V (28-32v)
|
Maksymalna moc wyjściowa:
|
47 ± 0,5 dBm (50W@ ≤3,5a)
|
Osiągać:
|
42 ± 1 dB (wartość szczytowa)
|
Wahania wewnątrz pasma:
|
≤2 dB (wartość szczytowa)
|
Fałszywa emisja (działająca w bandecie):
|
≤-15 dBM/1 MHz (częstotliwość środka Dodaj sygnał CW do maksymalnego testu mocy wyjściowej)
|
Fałszywa emisja (działająca poza pasmem, 9 kHz ~ 1Ghz):
|
Brak fali szumu powyżej normalnej podstawy (DBM)
|
Fałszywa emisja (działająca poza pasmem, 1G ~ 12,75 GHz):
|
Brak fali szumu powyżej normalnej podstawy (DBM)
|
Wyjście VSWR (bez zasilania):
|
≤1,30 (bez zasilania: standardowe wyjście siatki -10dBM)
|
Wyjście VSWR (moc):
|
≤1,30 (moc w górę: podwójny test łącznikowy)
|
Wymagania dotyczące zasilania:
|
≥4a@+28VDC (wyjście fali ciągłej 50 W)
|
Port zasilania:
|
Kabel zasilający: czerwony dodatni czarny negatywny (czerwono dodatni czarny negatywny)
|
Złącze wyjściowe RF:
|
SMA (zewnętrzna podstawa śrubowa SMA)
|
|
Zakres częstotliwości:
|
420-5850 MHz (niestandardowa częstotliwość)
|
|
Napięcie robocze:
|
28 V (28-32v)
|
|
Maksymalna moc wyjściowa:
|
47 ± 0,5 dBm (50W@ ≤3,5a)
|
|
Osiągać:
|
42 ± 1 dB (wartość szczytowa)
|
|
Wahania wewnątrz pasma:
|
≤2 dB (wartość szczytowa)
|
|
Fałszywa emisja (działająca w bandecie):
|
≤-15 dBM/1 MHz (częstotliwość środka Dodaj sygnał CW do maksymalnego testu mocy wyjściowej)
|
|
Fałszywa emisja (działająca poza pasmem, 9 kHz ~ 1Ghz):
|
Brak fali szumu powyżej normalnej podstawy (DBM)
|
|
Fałszywa emisja (działająca poza pasmem, 1G ~ 12,75 GHz):
|
Brak fali szumu powyżej normalnej podstawy (DBM)
|
|
Wyjście VSWR (bez zasilania):
|
≤1,30 (bez zasilania: standardowe wyjście siatki -10dBM)
|
|
Wyjście VSWR (moc):
|
≤1,30 (moc w górę: podwójny test łącznikowy)
|
|
Wymagania dotyczące zasilania:
|
≥4a@+28VDC (wyjście fali ciągłej 50 W)
|
|
Port zasilania:
|
Kabel zasilający: czerwony dodatni czarny negatywny (czerwono dodatni czarny negatywny)
|
|
Złącze wyjściowe RF:
|
SMA (zewnętrzna podstawa śrubowa SMA)
|
Moduł zakłócający sygnał drona o mocy 50 W został zaprojektowany do:mocna kontrola nieautoryzowanych wtargnięć dronów/Odcina połączenia komunikacyjne /między dronami a ich sterownikami, satelitami lub innymi źródłami transmisji /przez emitowanie ukierunkowanych sygnałów zakłóceń,zapewnienie bezpieczeństwa w obszarach wrażliwych lub ograniczonych.
Główne zalety:
Zastosowane scenariusze: strefy zakazu lotu na lotniskach, budynki rządowe, bazy wojskowe, miejsca wydarzeń na dużą skalę (koncerty, wystawy), zakłady karne i inne środowiska o wysokim poziomie bezpieczeństwa.
| Władza | Przepustowość | System | Wielkość | Rozmiar (wbudowany krążnik) |
|---|---|---|---|---|
| 50 W | 100 ‰ 200 MHz | LDMOS | 130 mm × 45 mm × 19 mm | / |
| 50 W | 100 ‰ 200 MHz | GaN | 130 mm × 45 mm × 19 mm | / |
| 50 W | 100 ‰ 200 MHz | LoRa GaN | / | / |
| 50 W | 200 ∼ 300 MHz | LDMOS | 130 mm × 45 mm × 19 mm | / |
| 50 W | 200 ∼ 300 MHz | GaN | 130 mm × 45 mm × 19 mm | / |
| 50 W | 200 ∼ 300 MHz | LoRa GaN | 130 mm × 45 mm × 19 mm | 144 mm × 55 mm × 22 mm |
| 50 W | 300 ∼ 400 MHz | LDMOS | / | 103 mm × 50 mm × 19 mm |
| 50 W | 300 ∼ 400 MHz | GaN | / | 103 mm × 50 mm × 19 mm |
| 50 W | 300 ∼ 400 MHz | LoRa GaN | / | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 50 W | 420-480MHz | LDMOS | 130 mm × 45 mm × 19 mm | / |
| 50 W | 420-480MHz | GaN | 130 mm × 45 mm × 19 mm | / |
| 50 W | 420-480MHz | LoRa GaN | / | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 50 W | 720 ̊820 MHz | LDMOS | 128 mm × 35 mm × 19 mm | / |
| 50 W | 720 ̊820 MHz | GaN | 130 mm × 45 mm × 19 mm | / |
| 50 W | 720 ̊820 MHz | LoRa GaN | / | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 50 W | 850 ̊950 MHz | LDMOS | 128 mm × 35 mm × 19 mm | / |
| 50 W | 850 ̊950 MHz | GaN | 130 mm × 45 mm × 19 mm | / |
| 50 W | 850 ̊950 MHz | LoRa GaN | / | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 50 W | 9701100MHz | LDMOS | 128 mm × 35 mm × 19 mm | / |
| 50 W | 9701100MHz | GaN | 130 mm × 45 mm × 19 mm | / |
| 50 W | 9701100MHz | LoRa GaN | / | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 50 W | 1170 ∼ 1280 MHz | LDMOS | 128 mm × 35 mm × 19 mm | / |
| 50 W | 1170 ∼ 1280 MHz | GaN | 130 mm × 45 mm × 19 mm | / |
| 50 W | 1170 ∼ 1280 MHz | LoRa GaN | / | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 50 W | 1550 ̇ 1650 MHz | LDMOS | 128 mm × 35 mm × 19 mm | / |
| 50 W | 1550 ̇ 1650 MHz | GaN | 130 mm × 45 mm × 19 mm | / |
| 50 W | 1550 ̇ 1650 MHz | LoRa GaN | / | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 50 W | 2300 ∼ 2500 MHz | LDMOS | 128 mm × 35 mm × 19 mm | / |
| 50 W | 2300 ∼ 2500 MHz | GaN | 130 mm × 45 mm × 19 mm | / |
| 50 W | 2300 ∼ 2500 MHz | LoRa GaN | / | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 50 W | 5150 ̇ 5350 MHz | LDMOS | / | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 50 W | 5150 ̇ 5350 MHz | GaN | / | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 50 W | 5150 ̇ 5350 MHz | LoRa GaN | / | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 50 W | 5400 ̇ 5700 MHz | LDMOS | / | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 50 W | 5400 ̇ 5700 MHz | GaN | / | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 50 W | 5400 ̇ 5700 MHz | LoRa GaN | / | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 50 W | 5725 ̇ 5850 MHz | LDMOS | / | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 50 W | 5725 ̇ 5850 MHz | GaN | / | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 50 W | 5725 ̇ 5850 MHz | LoRa GaN | / | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| Element testowy | Parametry techniczne | Jednostka | Uwaga |
|---|---|---|---|
| Zakres częstotliwości | 420 5850 (Dostępna częstotliwość dostosowana do potrzeb) | MHz | Wspierana częstotliwość dostosowana |
| Napięcie robocze | 28 (kompatybilny z 28 ′′ 32V) | V | Dostosowanie szerokiego napięcia |
| Maksymalna moc wyjściowa | 47±0.5 | dBm | 50W@≤ 3,5A |
| Zyski | 42±1 | dB | wartość od szczytu do szczytu |
| Fluktuacja w zakresie | ≤ 2 | dB | wartość od szczytu do szczytu |
| Emisja fałszywa (działająca w obrębie pasma) | ≤ 15 dBm/1MHz | dBm | Badanie częstotliwości środkowej + sygnału CW do maksymalnej mocy wyjściowej |
| Emisja fałszywa (działająca poza zakresem, 9KHz ∼1GHz) | Brak fal hałasu powyżej normalnej podstawy | dBm | / |
| Emisja fałszywa (działająca poza zakresem pasma, 1G ≈ 12,75 GHz) | Brak fal hałasu powyżej normalnej podstawy | dBm | / |
| Wyjście VSWR (bez uruchamiania) | ≤ 1.30 | / | Brak zasilania: Standardowa moc wyjściowa sieci -10 dBm |
| Wyjście VSWR (włączanie mocy) | ≤ 1.30 | / | Włączanie energii: badanie sprzęgła dwukierunkowego |
| Badanie wysokiej i niskiej temperatury (temperatura otoczenia roboczego) | -10~+55 | °C | Kompatybilny z zimnym uruchomieniem |
| Badanie wysokiej i niskiej temperatury (stabilność zysku) | ±1,5 dB @ -40°C~+55°C | dB | / |
| Badanie wysokiej i niskiej temperatury (stabilność mocy) | ±1dB @ -40°C~+55°C | dB | / |
| Wymagania dotyczące zasilania | ≥4A@+28Vdc | / | Wydajność fal ciągłych (50W) |
| Port zasilania | Kabel zasilania: czerwony dodatni/czarny ujemny | / | Czerwona pozytywna, czarna ujemna biegunowość |
| Złącze wyjściowe RF | SMA | / | SMA Zewnętrzna podstawa śruby |
Odpowiedź: Moduł obsługuje szeroki zakres pasm częstotliwości komunikacji dronów (np. 100~200MHz, 200~300MHz, 300~400MHz i wyższe pasma do 5850MHz).LoRa GaNSystemy te zapewniają zwiększoną interferencję dla dronów wykorzystujących komunikację LoRa.
A: -LDMOS: zapewnia stabilną wydajność przy zrównoważonych kosztach, idealnie nadaje się do ogólnego zakłócania funkcji dronów.
A: Tak.Dostosowanie częstotliwościW przypadku zamówień hurtowych można również omówić dostosowanie napięcia (powyżej 28 32 V), czynnika kształtu lub złączy.
Odpowiedź: Tak. Zakres temperatury roboczej wynosi od -10°C do +55°C i jest poddawany rygorystycznym badaniom wysokiej i niskiej temperatury (wahania zysku ≤±1,5 dB, wahania mocy ≤±1 dB),zapewnienie niezawodności w większości środowisk zewnętrznych.
Odpowiedź: Moduł wymaga zasilania ≥4A@+28Vdc.Czerwony pozytywny, czarny negatywny.Polaryzacja sygnałów RFPodstawa śruby zewnętrznej SMA. Zapewnić prawidłową biegunowość zasilania i kompatybilność z łącznikiem RF podczas instalacji.
