AegisCloud (Shenzhen) Technology Innovation Co., Ltd.
847129466@qq.com 86--18029765641
продукты
продукты
Дом > продукты > Анти- модуль трутня > Сигнальный джаммер 420-5850 МГц 30 Вт GaN LDMOS Lora Модуль Сигнальный блокировщик Антидроновый джаммер Модуль усилителя мощности RF

Сигнальный джаммер 420-5850 МГц 30 Вт GaN LDMOS Lora Модуль Сигнальный блокировщик Антидроновый джаммер Модуль усилителя мощности RF

Детали продукта

Место происхождения: Китай

Номер модели: 30 Вт модуль джаммара беспилотника

Условия оплаты & доставки

Количество мин заказа: 1

Цена: $140 - 400

Время доставки: 30

Условия оплаты: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, Moneygram

Поставка способности: 5000 в месяц

Побеседуйте теперь
Выделить:
Частотный диапазон:
420-5850 МГц (индивидуальная частота)
Рабочее напряжение:
28 В (28-32 В)
Максимальная мощность:
45 ± 0,5 / 44 ± 0,5 дБм (30W@≤2.1a)
Прирост:
40 ± 1 дБ (значение пика до пика)
Колебания в полосе:
≤2 дБ (значение пика)
Ложные выбросы (действующая в полосе):
≤-15 дБм/1 МГц (центральная частота добавить сигнал CW к максимальному выходу мощности)
Сумасшедшая эмиссия (работающая вне полоса, 9 кГц ~ 1 ГГц):
Нет шумовой волны выше нормального основания (DBM)
Выход VSWR (без питания):
≤1,30 (без питания: стандартная вывод сетки -10 дБМ)
Требование к питанию:
≥3a@+28 В постоянного тока (непрерывная волна выход 30 Вт/25 Вт)
Коннектор RF выхода:
SMA (SMA внешняя винтовая основа)
Частотный диапазон:
420-5850 МГц (индивидуальная частота)
Рабочее напряжение:
28 В (28-32 В)
Максимальная мощность:
45 ± 0,5 / 44 ± 0,5 дБм (30W@≤2.1a)
Прирост:
40 ± 1 дБ (значение пика до пика)
Колебания в полосе:
≤2 дБ (значение пика)
Ложные выбросы (действующая в полосе):
≤-15 дБм/1 МГц (центральная частота добавить сигнал CW к максимальному выходу мощности)
Сумасшедшая эмиссия (работающая вне полоса, 9 кГц ~ 1 ГГц):
Нет шумовой волны выше нормального основания (DBM)
Выход VSWR (без питания):
≤1,30 (без питания: стандартная вывод сетки -10 дБМ)
Требование к питанию:
≥3a@+28 В постоянного тока (непрерывная волна выход 30 Вт/25 Вт)
Коннектор RF выхода:
SMA (SMA внешняя винтовая основа)
Сигнальный джаммер 420-5850 МГц 30 Вт GaN LDMOS Lora Модуль Сигнальный блокировщик Антидроновый джаммер Модуль усилителя мощности RF
1. Введение в продукт

Модуль подавления сигналов дронов 30 Вт предназначен для эффективного управления несанкционированным проникновением дронов. Он нарушает каналы связи между дронами и их контроллерами, спутниками или другими источниками передачи, излучая целевые сигналы помех, обеспечивая безопасность в охраняемых зонах.

Основные преимущества:

  • Высокая выходная мощность: Обладает выходной мощностью 30 Вт для расширенного и надежного покрытия помехами.
  • Широкий диапазон частот: Поддерживает несколько частотных диапазонов (420 МГц–5850 МГц), совместим с различными протоколами связи дронов.
  • Гибкие варианты схем: Предлагает решения LoRa LDMOS, LDMOS, GaN и LoRa GaN для удовлетворения различных потребностей в производительности, интеграции и применении.
  • Компактный форм-фактор: Доступен в компактных размерах (например, 100 мм×34 мм×15 мм, 128 мм×35 мм×19 мм) для легкой интеграции в системы безопасности.

Применимые сценарии: бесполетные зоны аэропортов, правительственные помещения, военные объекты, места проведения масштабных мероприятий (концерты, выставки), исправительные учреждения и другие зоны повышенной безопасности.

2. Технические характеристики
Мощность Полоса пропускания Схема Размер Размер (встроенный циркулятор)
30 Вт 720–820 МГц LoRa LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 720–820 МГц LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 720–820 МГц GaN
30 Вт 720–820 МГц LoRa LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 720–820 МГц LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 850–950 МГц LoRa LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 850–950 МГц LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 850–950 МГц GaN
30 Вт 850–950 МГц LoRa LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 850–950 МГц LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 970–1100 МГц LoRa LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 970–1100 МГц LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 970–1100 МГц GaN
30 Вт 970–1100 МГц LoRa LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 970–1100 МГц LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 1170–1280 МГц LoRa LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 1170–1280 МГц LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 1170–1280 МГц GaN
30 Вт 1170–1280 МГц LoRa LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 1170–1280 МГц LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 1550–1650 МГц LoRa LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 1550–1650 МГц LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 1550–1650 МГц GaN
30 Вт 1550–1650 МГц LoRa LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 1550–1650 МГц LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 2300–2500 МГц LoRa LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 2300–2500 МГц LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 2300–2500 МГц GaN
30 Вт 2300–2500 МГц LoRa LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 2300–2500 МГц LDMOS 100 мм×34 мм×15 мм 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 5150–5350 МГц LDMOS 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 5150–5350 МГц GaN 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 5150–5350 МГц LoRa GaN 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 5400–5700 МГц LDMOS 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 5400–5700 МГц GaN 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 5400–5700 МГц LoRa GaN 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 5725–5850 МГц LDMOS 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 5725–5850 МГц GaN 128 мм×35 мм×19 мм
30 Вт 5725–5850 МГц LoRa GaN 128 мм×35 мм×19 мм
3. Технические параметры
Тестовый элемент Параметры Единица измерения Примечание
Диапазон частот 420–5850 МГц Доступна настройка частоты
Рабочее напряжение 28 (совместимо с 28–32 В) В Адаптация к широкому диапазону напряжений
Максимальная выходная мощность 45±0,5 / 54±0,5 дБм 30 Вт при ≤2,1 А
Усиление 40±1 дБ пиковое значение
Неравномерность в полосе пропускания ≤2 дБ пиковое значение
Побочные излучения (рабочие в полосе пропускания) ≤-15 дБм/1 МГц дБм Центральная частота + сигнал CW для тестирования максимальной выходной мощности
Побочные излучения (рабочие вне полосы, 9 кГц–1 ГГц) Отсутствие шумовой волны выше нормальной базы дБм
Побочные излучения (рабочие вне полосы, 1 ГГц–12,75 ГГц) Отсутствие шумовой волны выше нормальной базы дБм
Выходное КСВН (без включения питания) ≤1,30 Без включения питания: стандартный выход сетки -10 дБм
Выходное КСВН (с включением питания) ≤1,30 Включение питания: тестирование с использованием двунаправленного ответвителя
Испытание при высокой и низкой температуре (рабочая температура окружающей среды) -10~+55 °C Совместимость с холодным запуском
Испытание при высокой и низкой температуре (стабильность усиления) ±1,5 дБ при -40°C~+55°C дБ
Испытание при высокой и низкой температуре (стабильность мощности) ±1 дБ при -40°C~+55°C дБ
Требования к питанию ≥3 А при +28 В пост. тока Непрерывный выход волны (30 Вт/25 Вт)
Порт питания Кабель питания: красный положительный/черный отрицательный Красный положительный, черная отрицательная полярность
Разъем РЧ-выхода SMA Внешнее основание с резьбой SMA
4. Часто задаваемые вопросы (FAQ)
В1: С какими протоколами связи дронов совместим этот модуль?

О: Модуль поддерживает основные частотные диапазоны связи дронов (например, 400 МГц, 800 МГц, 2,4 ГГц, 5,8 ГГц). Схемы, специфичные для LoRa (LoRa LDMOS, LoRa GaN) обеспечивают улучшенное подавление для дронов, использующих связь LoRa. Также доступны варианты настройки частоты для соответствия конкретным системам дронов.

В2: Как выбрать между схемами LoRa LDMOS, LDMOS, GaN и LoRa GaN?

О: - LoRa LDMOS / LoRa GaN: Оптимизированы для подавления дронов со связью на основе LoRa (целевое подавление).

  • LDMOS: Обеспечивает стабильную производительность при сбалансированной стоимости (идеально подходит для общего подавления дронов).
  • GaN: Обеспечивает высокую эффективность и плотность мощности (подходит для компактных, высокоэффективных приложений).
    Выбирайте в зависимости от типа связи целевого дрона, бюджета проекта и потребностей в производительности.
В3: Поддерживает ли модуль настройку?

О: Да. Доступна настройка частоты(см. «Настраиваемая частота» в примечании «Диапазон частот»). Для оптовых заказов также можно обсудить настройку напряжения (за пределами 28–32 В), форм-фактора или разъемов.

В4: Может ли модуль работать в суровых условиях наружной температуры?

О: Да. Диапазон рабочих температур составляет от -10°C до +55°C, и он проходит строгие испытания при высоких и низких температурах (колебания усиления ≤±1,5 дБ, колебания мощности ≤±1 дБ), обеспечивая надежность в большинстве наружных условий.

В5: Как подключить и запитать модуль?

О: Модулю требуется ≥3 А при +28 В пост. тока для питания. В кабеле питания используется полярность «красный положительный, черный отрицательный». РЧ-сигналы выводятся через внешнее основание с резьбой SMA. Обеспечьте правильную полярность питания и совместимость РЧ-разъема во время установки.

аналогичные продукты