Детали продукта
Место происхождения: Китай
Номер модели: 30 Вт модуль джаммара беспилотника
Условия оплаты & доставки
Количество мин заказа: 1
Цена: $140 - 400
Время доставки: 30
Условия оплаты: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, Moneygram
Поставка способности: 5000 в месяц
Частотный диапазон:
|
420-5850 МГц (индивидуальная частота)
|
Рабочее напряжение:
|
28 В (28-32 В)
|
Максимальная мощность:
|
45 ± 0,5 / 44 ± 0,5 дБм (30W@≤2.1a)
|
Прирост:
|
40 ± 1 дБ (значение пика до пика)
|
Колебания в полосе:
|
≤2 дБ (значение пика)
|
Ложные выбросы (действующая в полосе):
|
≤-15 дБм/1 МГц (центральная частота добавить сигнал CW к максимальному выходу мощности)
|
Сумасшедшая эмиссия (работающая вне полоса, 9 кГц ~ 1 ГГц):
|
Нет шумовой волны выше нормального основания (DBM)
|
Выход VSWR (без питания):
|
≤1,30 (без питания: стандартная вывод сетки -10 дБМ)
|
Требование к питанию:
|
≥3a@+28 В постоянного тока (непрерывная волна выход 30 Вт/25 Вт)
|
Коннектор RF выхода:
|
SMA (SMA внешняя винтовая основа)
|
Частотный диапазон:
|
420-5850 МГц (индивидуальная частота)
|
Рабочее напряжение:
|
28 В (28-32 В)
|
Максимальная мощность:
|
45 ± 0,5 / 44 ± 0,5 дБм (30W@≤2.1a)
|
Прирост:
|
40 ± 1 дБ (значение пика до пика)
|
Колебания в полосе:
|
≤2 дБ (значение пика)
|
Ложные выбросы (действующая в полосе):
|
≤-15 дБм/1 МГц (центральная частота добавить сигнал CW к максимальному выходу мощности)
|
Сумасшедшая эмиссия (работающая вне полоса, 9 кГц ~ 1 ГГц):
|
Нет шумовой волны выше нормального основания (DBM)
|
Выход VSWR (без питания):
|
≤1,30 (без питания: стандартная вывод сетки -10 дБМ)
|
Требование к питанию:
|
≥3a@+28 В постоянного тока (непрерывная волна выход 30 Вт/25 Вт)
|
Коннектор RF выхода:
|
SMA (SMA внешняя винтовая основа)
|
Модуль подавления сигналов дронов 30 Вт предназначен для эффективного управления несанкционированным проникновением дронов. Он нарушает каналы связи между дронами и их контроллерами, спутниками или другими источниками передачи, излучая целевые сигналы помех, обеспечивая безопасность в охраняемых зонах.
Основные преимущества:
Применимые сценарии: бесполетные зоны аэропортов, правительственные помещения, военные объекты, места проведения масштабных мероприятий (концерты, выставки), исправительные учреждения и другие зоны повышенной безопасности.
Мощность | Полоса пропускания | Схема | Размер | Размер (встроенный циркулятор) |
---|---|---|---|---|
30 Вт | 720–820 МГц | LoRa LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 720–820 МГц | LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 720–820 МГц | GaN | – | – |
30 Вт | 720–820 МГц | LoRa LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 720–820 МГц | LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 850–950 МГц | LoRa LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 850–950 МГц | LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 850–950 МГц | GaN | – | – |
30 Вт | 850–950 МГц | LoRa LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 850–950 МГц | LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 970–1100 МГц | LoRa LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 970–1100 МГц | LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 970–1100 МГц | GaN | – | – |
30 Вт | 970–1100 МГц | LoRa LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 970–1100 МГц | LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 1170–1280 МГц | LoRa LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 1170–1280 МГц | LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 1170–1280 МГц | GaN | – | – |
30 Вт | 1170–1280 МГц | LoRa LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 1170–1280 МГц | LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 1550–1650 МГц | LoRa LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 1550–1650 МГц | LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 1550–1650 МГц | GaN | – | – |
30 Вт | 1550–1650 МГц | LoRa LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 1550–1650 МГц | LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 2300–2500 МГц | LoRa LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 2300–2500 МГц | LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 2300–2500 МГц | GaN | – | – |
30 Вт | 2300–2500 МГц | LoRa LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 2300–2500 МГц | LDMOS | 100 мм×34 мм×15 мм | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 5150–5350 МГц | LDMOS | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 5150–5350 МГц | GaN | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 5150–5350 МГц | LoRa GaN | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 5400–5700 МГц | LDMOS | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 5400–5700 МГц | GaN | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 5400–5700 МГц | LoRa GaN | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 5725–5850 МГц | LDMOS | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 5725–5850 МГц | GaN | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
30 Вт | 5725–5850 МГц | LoRa GaN | – | 128 мм×35 мм×19 мм |
Тестовый элемент | Параметры | Единица измерения | Примечание |
---|---|---|---|
Диапазон частот | 420–5850 | МГц | Доступна настройка частоты |
Рабочее напряжение | 28 (совместимо с 28–32 В) | В | Адаптация к широкому диапазону напряжений |
Максимальная выходная мощность | 45±0,5 / 54±0,5 | дБм | 30 Вт при ≤2,1 А |
Усиление | 40±1 | дБ | пиковое значение |
Неравномерность в полосе пропускания | ≤2 | дБ | пиковое значение |
Побочные излучения (рабочие в полосе пропускания) | ≤-15 дБм/1 МГц | дБм | Центральная частота + сигнал CW для тестирования максимальной выходной мощности |
Побочные излучения (рабочие вне полосы, 9 кГц–1 ГГц) | Отсутствие шумовой волны выше нормальной базы | дБм | – |
Побочные излучения (рабочие вне полосы, 1 ГГц–12,75 ГГц) | Отсутствие шумовой волны выше нормальной базы | дБм | – |
Выходное КСВН (без включения питания) | ≤1,30 | – | Без включения питания: стандартный выход сетки -10 дБм |
Выходное КСВН (с включением питания) | ≤1,30 | – | Включение питания: тестирование с использованием двунаправленного ответвителя |
Испытание при высокой и низкой температуре (рабочая температура окружающей среды) | -10~+55 | °C | Совместимость с холодным запуском |
Испытание при высокой и низкой температуре (стабильность усиления) | ±1,5 дБ при -40°C~+55°C | дБ | – |
Испытание при высокой и низкой температуре (стабильность мощности) | ±1 дБ при -40°C~+55°C | дБ | – |
Требования к питанию | ≥3 А при +28 В пост. тока | – | Непрерывный выход волны (30 Вт/25 Вт) |
Порт питания | Кабель питания: красный положительный/черный отрицательный | – | Красный положительный, черная отрицательная полярность |
Разъем РЧ-выхода | SMA | – | Внешнее основание с резьбой SMA |
О: Модуль поддерживает основные частотные диапазоны связи дронов (например, 400 МГц, 800 МГц, 2,4 ГГц, 5,8 ГГц). Схемы, специфичные для LoRa (LoRa LDMOS, LoRa GaN) обеспечивают улучшенное подавление для дронов, использующих связь LoRa. Также доступны варианты настройки частоты для соответствия конкретным системам дронов.
О: - LoRa LDMOS / LoRa GaN: Оптимизированы для подавления дронов со связью на основе LoRa (целевое подавление).
О: Да. Доступна настройка частоты(см. «Настраиваемая частота» в примечании «Диапазон частот»). Для оптовых заказов также можно обсудить настройку напряжения (за пределами 28–32 В), форм-фактора или разъемов.
О: Да. Диапазон рабочих температур составляет от -10°C до +55°C, и он проходит строгие испытания при высоких и низких температурах (колебания усиления ≤±1,5 дБ, колебания мощности ≤±1 дБ), обеспечивая надежность в большинстве наружных условий.
О: Модулю требуется ≥3 А при +28 В пост. тока для питания. В кабеле питания используется полярность «красный положительный, черный отрицательный». РЧ-сигналы выводятся через внешнее основание с резьбой SMA. Обеспечьте правильную полярность питания и совместимость РЧ-разъема во время установки.