AegisCloud (Shenzhen) Technology Innovation Co., Ltd.
847129466@qq.com
86--18029765641
Λεπτομέρειες προιόντος
Τόπος καταγωγής: Κίνα
Αριθμό μοντέλου: 30W Drone Signal Jammer Module
Όροι πληρωμής & ναυτιλίας
Ποσότητα παραγγελίας min: 1
Τιμή: ＄140 - 400
Χρόνος παράδοσης: 30
Όροι πληρωμής: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: 5000 το μήνα
|
Κλίμακα συχνοτήτων:
|
420-5850 MHz (προσαρμοσμένη συχνότητα)
|
Τάση λειτουργίας:
|
28 V (28-32V)
|
Μέγιστη ισχύς:
|
45 ± 0,5 / 44 ± 0,5 dBM (30w@≤2.1a)
|
Κέρδος:
|
40 ± 1 dB (τιμή αιχμής προς κορυφή)
|
Διακυμάνσεις εντός της ζώνης:
|
≤2 dB (τιμή αιχμής προς κορυφή)
|
Ψευδής εκπομπή (που λειτουργεί σε ζώνη):
|
≤ 15 dBm/1MHz (κεντρική συχνότητα προσθήκη σήματος CW στη δοκιμή μέγιστης ισχύος)
|
Ψευδής εκπομπή (Λειτουργία εκτός ζώνης, 9kHz ~ 1GHz):
|
Δεν υπάρχει κύμα θορύβου πάνω από την κανονική βάση (DBM)
|
Έξοδος VSWR (χωρίς δύναμη):
|
≤1,30 (χωρίς τροφοδοσία: τυπική έξοδος πλέγματος -10DBM)
|
Απαιτούμενη παροχή ρεύματος:
|
≥3A@+28VDC (συνεχής έξοδος κύματος 30W/25W)
|
Σύνδεσμος εξόδου ραδιοσυχνοτήτων:
|
SMA (SMA εξωτερική βάση βιδών)
|
|
Κλίμακα συχνοτήτων:
|
420-5850 MHz (προσαρμοσμένη συχνότητα)
|
|
Τάση λειτουργίας:
|
28 V (28-32V)
|
|
Μέγιστη ισχύς:
|
45 ± 0,5 / 44 ± 0,5 dBM (30w@≤2.1a)
|
|
Κέρδος:
|
40 ± 1 dB (τιμή αιχμής προς κορυφή)
|
|
Διακυμάνσεις εντός της ζώνης:
|
≤2 dB (τιμή αιχμής προς κορυφή)
|
|
Ψευδής εκπομπή (που λειτουργεί σε ζώνη):
|
≤ 15 dBm/1MHz (κεντρική συχνότητα προσθήκη σήματος CW στη δοκιμή μέγιστης ισχύος)
|
|
Ψευδής εκπομπή (Λειτουργία εκτός ζώνης, 9kHz ~ 1GHz):
|
Δεν υπάρχει κύμα θορύβου πάνω από την κανονική βάση (DBM)
|
|
Έξοδος VSWR (χωρίς δύναμη):
|
≤1,30 (χωρίς τροφοδοσία: τυπική έξοδος πλέγματος -10DBM)
|
|
Απαιτούμενη παροχή ρεύματος:
|
≥3A@+28VDC (συνεχής έξοδος κύματος 30W/25W)
|
|
Σύνδεσμος εξόδου ραδιοσυχνοτήτων:
|
SMA (SMA εξωτερική βάση βιδών)
|
Το 30W Drone Signal Jammer Module έχει σχεδιαστεί γιααποτελεσματική διαχείριση των μη εξουσιοδοτημένων εισβολών με μη επανδρωμένα αεροσκάφηΔιαταράσσει τις συνδέσεις επικοινωνίας μεταξύ των drones και των ελεγκτών τους, δορυφόρων ή άλλων πηγών μετάδοσης εκπέμποντας στοχευμένα σήματα παρεμβολής, εξασφαλίζοντας την ασφάλεια σε προστατευόμενες περιοχές.
Βασικά πλεονεκτήματα:
Εφαρμόσιμα σενάρια: Ζώνες απαγόρευσης πτήσεων αεροδρομίων, κυβερνητικές εγκαταστάσεις, στρατιωτικές εγκαταστάσεις, χώροι μεγάλης κλίμακας εκδηλώσεων (συναυλίες, εκθέσεις), σωφρονιστικές εγκαταστάσεις και άλλες περιοχές υψηλής ασφάλειας.
| Δύναμη | Διάφραση ζώνης | Σχέδιο | Μέγεθος | Μέγεθος (ενσωματωμένος κυκλωτής) |
|---|---|---|---|---|
| 30W | 720820MHz | LoRa LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 720820MHz | LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 720820MHz | GaN | Επικεφαλής | Επικεφαλής |
| 30W | 720820MHz | LoRa LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 720820MHz | LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 850 ̇ 950 MHz | LoRa LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 850 ̇ 950 MHz | LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 850 ̇ 950 MHz | GaN | Επικεφαλής | Επικεφαλής |
| 30W | 850 ̇ 950 MHz | LoRa LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 850 ̇ 950 MHz | LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 970·1100MHz | LoRa LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 970·1100MHz | LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 970·1100MHz | GaN | Επικεφαλής | Επικεφαλής |
| 30W | 970·1100MHz | LoRa LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 970·1100MHz | LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 1170·1280MHz | LoRa LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 1170·1280MHz | LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 1170·1280MHz | GaN | Επικεφαλής | Επικεφαλής |
| 30W | 1170·1280MHz | LoRa LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 1170·1280MHz | LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 1550·1650MHz | LoRa LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 1550·1650MHz | LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 1550·1650MHz | GaN | Επικεφαλής | Επικεφαλής |
| 30W | 1550·1650MHz | LoRa LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 1550·1650MHz | LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 23002500MHz | LoRa LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 23002500MHz | LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 23002500MHz | GaN | Επικεφαλής | Επικεφαλής |
| 30W | 23002500MHz | LoRa LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 23002500MHz | LDMOS | 100 mm × 34 mm × 15 mm | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 5150 ̇ 5350 MHz | LDMOS | Επικεφαλής | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 5150 ̇ 5350 MHz | GaN | Επικεφαλής | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 5150 ̇ 5350 MHz | Λορά ΓΑΝ | Επικεφαλής | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 5400 ̇ 5700 MHz | LDMOS | Επικεφαλής | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 5400 ̇ 5700 MHz | GaN | Επικεφαλής | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 5400 ̇ 5700 MHz | Λορά ΓΑΝ | Επικεφαλής | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 5725 ̇ 5850 MHz | LDMOS | Επικεφαλής | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 5725 ̇ 5850 MHz | GaN | Επικεφαλής | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| 30W | 5725 ̇ 5850 MHz | Λορά ΓΑΝ | Επικεφαλής | 128 mm × 35 mm × 19 mm |
| Τμήμα δοκιμής | Παράμετροι | Μονάδα | Σημείωση |
|---|---|---|---|
| Πεδίο συχνότητας | 420 ̇ 5850 | MHz | Διαθέσιμη προσαρμοσμένη συχνότητα |
| Δραστηριακή τάση | 28 (συμβατό με 32V) | V | Προσαρμογή ευρείας τάσης |
| Μέγιστη ισχύς | 45±0,5 / 54±0.5 | dBm | 30W@≤2.1A |
| Κέρδος | 40±1 | dB | τιμή από κορυφή σε κορυφή |
| Διακυμάνσεις εντός της ζώνης | ≤ 2 | dB | τιμή από κορυφή σε κορυφή |
| Πλασματική εκπομπή (εργάζεται σε ζώνη) | ≤-15dBm/1MHz | dBm | Δοκιμή κεντρικής συχνότητας + σήματος CW έως μέγιστης ισχύος |
| Πλασματική εκπομπή (εργάζεται εκτός ζώνης, 9KHz1GHz) | Δεν υπάρχει θόρυβος πάνω από την κανονική βάση | dBm | Επικεφαλής |
| Πλασματική εκπομπή (επιχειρώντας εκτός ζώνης, 1G·12.75GHz) | Δεν υπάρχει θόρυβος πάνω από την κανονική βάση | dBm | Επικεφαλής |
| Έξοδος VSWR (χωρίς ενεργοποίηση) | ≤ 1.30 | Επικεφαλής | Χωρίς ενεργοποίηση: Τυπική έξοδος δικτύου -10dBm |
| Έκδοση VSWR (Power Up) | ≤ 1.30 | Επικεφαλής | Ενεργοποίηση: Δοκιμή διπλής κατεύθυνσης ζεύξης |
| Δοκιμή υψηλής-χαμηλής θερμοκρασίας (λειτουργική θερμοκρασία περιβάλλοντος) | -10~+55 | °C | Συμφωνητικός με την παγωμένη εκκίνηση |
| Δοκιμή υψηλής και χαμηλής θερμοκρασίας (σταθερότητα κέρδους) | ±1,5 dB @ -40°C~+55°C | dB | Επικεφαλής |
| Δοκιμή υψηλής και χαμηλής θερμοκρασίας (σταθερότητα ισχύος) | ±1dB @ -40°C~+55°C | dB | Επικεφαλής |
| Απαιτούμενη παροχή ρεύματος | ≥3A@+28Vdc | Επικεφαλής | Συνεχή έξοδος κυμάτων (30W/25W) |
| Λιμάνι τροφοδοσίας | Καλώδιο τροφοδοσίας: Κόκκινο θετικό/Μαύρο αρνητικό | Επικεφαλής | Κόκκινη θετική, μαύρη αρνητική πολικότητα |
| Συνδετήρας εξόδου ραδιοσυχνοτήτων | SMA | Επικεφαλής | SMA Εξωτερική βάση βίδες |
Α: Η ενότητα υποστηρίζει τις συχνότητες επικοινωνίας με μη επανδρωμένα αεροσκάφη (π.χ. 400MHz, 800MHz, 2,4GHz, 5,8GHz).Ειδικά προγράμματα LoRa (LoRa LDMOS, LoRa GaN)Οι επιλογές συχνότητας είναι επίσης διαθέσιμες για να ταιριάζουν με συγκεκριμένα συστήματα drones.
Α: -LoRa LDMOS / LoRa GaNΟπτικοποιημένο για παρεμβολή σε μη επανδρωμένα αεροσκάφη με επικοινωνία LoRa (στόχος παρεμβολής).
Α: Ναι.Προσαρμογή συχνότηταςΓια τις χονδρικές παραγγελίες, μπορεί επίσης να συζητηθεί η προσαρμογή της τάσης (πέρα από 28-32V), ο συντελεστής μορφής ή οι συνδέσεις.
Α: Ναι. Το εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας είναι -10 °C έως +55 °C και υποβάλλεται σε αυστηρές δοκιμές υψηλής και χαμηλής θερμοκρασίας (διακύμανση κέρδους ≤±1.5dB, διακύμανση ισχύος ≤±1dB),διασφάλιση της αξιοπιστίας στα περισσότερα εξωτερικά περιβάλλοντα.
Α: Η μονάδα απαιτεί ≥3A@+28Vdc για την παροχή ενέργειας.Ροζ θετικό, μαύρο αρνητικό.ΡΔ σήματα εξόδου μέσω ενόςΕξωτερική βάση βίδες SMA- Βεβαιωθείτε για τη σωστή πολικότητα ισχύος και συμβατότητα RF συνδέσμου κατά την εγκατάσταση.
