AegisCloud (Shenzhen) Technology Innovation Co., Ltd.
847129466@qq.com
86--18029765641
Szczegóły produktu
Miejsce pochodzenia: Chiny
Numer modelu: Moduł Jammer Drone 70-100 W
Warunki płatności i wysyłki
Minimalne zamówienie: 1
Cena: ＄360 - 1400
Czas dostawy: 30
Zasady płatności: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, Moneygram
Możliwość Supply: 5000 miesięcznie
|
Zakres częstotliwości:
|
420-5850 MHz (niestandardowa częstotliwość)
|
Maksymalna moc wyjściowa:
|
50 ± 0,5 dBm (100 W@≤7a)
|
Napięcie robocze:
|
28 V (28-32v)
|
Osiągać:
|
45 ± 1 dB (wartość szczytowa)
|
Wahania wewnątrz pasma:
|
≤2 dB (wartość szczytowa)
|
Fałszywa emisja (działająca w bandecie):
|
≤-15 dBM/1 MHz (częstotliwość środka Dodaj sygnał CW do maksymalnego testu mocy wyjściowej)
|
Fałszywa emisja (działająca poza pasmem, 9 kHz ~ 1Ghz):
|
Brak fali szumu powyżej normalnej podstawy (DBM)
|
Fałszywa emisja (działająca poza pasmem, 1G ~ 12,75 GHz):
|
Brak fali szumu powyżej normalnej podstawy (DBM)
|
Wyjście VSWR (bez zasilania):
|
≤1,30 (bez zasilania: standardowe wyjście siatki -10dBM)
|
Wyjście VSWR (moc):
|
≤1,30 (moc w górę: podwójny test łącznikowy)
|
Wymagania dotyczące zasilania:
|
≥8a@+28VDC (mocna wyjście fali 100 W)
|
Port zasilania:
|
Kabel zasilający: czerwony dodatni czarny negatywny (czerwono dodatni czarny negatywny)
|
Złącze wyjściowe RF:
|
SMA (zewnętrzna podstawa śrubowa SMA)
|
|
Zakres częstotliwości:
|
420-5850 MHz (niestandardowa częstotliwość)
|
|
Maksymalna moc wyjściowa:
|
50 ± 0,5 dBm (100 W@≤7a)
|
|
Napięcie robocze:
|
28 V (28-32v)
|
|
Osiągać:
|
45 ± 1 dB (wartość szczytowa)
|
|
Wahania wewnątrz pasma:
|
≤2 dB (wartość szczytowa)
|
|
Fałszywa emisja (działająca w bandecie):
|
≤-15 dBM/1 MHz (częstotliwość środka Dodaj sygnał CW do maksymalnego testu mocy wyjściowej)
|
|
Fałszywa emisja (działająca poza pasmem, 9 kHz ~ 1Ghz):
|
Brak fali szumu powyżej normalnej podstawy (DBM)
|
|
Fałszywa emisja (działająca poza pasmem, 1G ~ 12,75 GHz):
|
Brak fali szumu powyżej normalnej podstawy (DBM)
|
|
Wyjście VSWR (bez zasilania):
|
≤1,30 (bez zasilania: standardowe wyjście siatki -10dBM)
|
|
Wyjście VSWR (moc):
|
≤1,30 (moc w górę: podwójny test łącznikowy)
|
|
Wymagania dotyczące zasilania:
|
≥8a@+28VDC (mocna wyjście fali 100 W)
|
|
Port zasilania:
|
Kabel zasilający: czerwony dodatni czarny negatywny (czerwono dodatni czarny negatywny)
|
|
Złącze wyjściowe RF:
|
SMA (zewnętrzna podstawa śrubowa SMA)
|
Moduł zakłócający sygnał drona o mocy 70-100 W został zaprojektowany do:wysokiej mocy, długodystansowa kontrola nieautoryzowanych wtargnięć dronów/Przecina połączenia komunikacyjne /między dronami a ich sterownikami, satelitami lub innymi źródłami transmisji /przez emitowanie silnych, ukierunkowanych sygnałów zakłóceń,zapewnienie solidnego bezpieczeństwa w obszarach chronionych na dużą skalę lub w obszarach chronionych o szczególnym znaczeniu.
Główne zalety:
Stosowne scenariusze: duże strefy zakazu lotu na lotniskach, strefy bezpieczeństwa narodowego, instalacje wojskowe, rozległe miejsca imprez i inne środowiska o wysokim poziomie bezpieczeństwa wymagające zwalczania dronów na dużych obszarach.
| Władza | Przepustowość | System | Rozmiar (wbudowany krążnik) |
|---|---|---|---|
| 70-100 W | 420-480MHz | LDMOS | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 420-480MHz | GaN | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 420-480MHz | LoRa GaN | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 720 ̊820 MHz | LDMOS | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 720 ̊820 MHz | GaN | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 720 ̊820 MHz | LoRa GaN | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 850 ̊950 MHz | LDMOS | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 850 ̊950 MHz | GaN | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 850 ̊950 MHz | LoRa GaN | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 9701100MHz | LDMOS | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 9701100MHz | GaN | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 9701100MHz | LoRa GaN | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 1170 ∼ 1280 MHz | LDMOS | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 1170 ∼ 1280 MHz | GaN | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 1170 ∼ 1280 MHz | LoRa GaN | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 1550 ̇ 1650 MHz | LDMOS | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 1550 ̇ 1650 MHz | GaN | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 1550 ̇ 1650 MHz | LoRa GaN | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 2300 ∼ 2500 MHz | LDMOS | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 2300 ∼ 2500 MHz | GaN | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 2300 ∼ 2500 MHz | LoRa GaN | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 5150 ̇ 5350 MHz | LDMOS | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 5150 ̇ 5350 MHz | GaN | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 5150 ̇ 5350 MHz | LoRa GaN | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 5400 ̇ 5700 MHz | LDMOS | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 5400 ̇ 5700 MHz | GaN | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 5400 ̇ 5700 MHz | LoRa GaN | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 5725 ̇ 5850 MHz | LDMOS | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 5725 ̇ 5850 MHz | GaN | 170 mm*94 mm*27 mm |
| 70-100 W | 5725 ̇ 5850 MHz | LoRa GaN | 170 mm*94 mm*27 mm |
| Element testowy | Parametry techniczne | Jednostka | Uwaga |
|---|---|---|---|
| Zakres częstotliwości | 420 ¥5850 | MHz | Wspierana częstotliwość dostosowana |
| Napięcie robocze | 28 (kompatybilny z 28 ′′ 32V) | V | Dostosowanie szerokiego napięcia |
| Maksymalna moc wyjściowa | 50±0.5 | dBm | 100W@≤7A |
| Zyski | 45±1 | dB | wartość od szczytu do szczytu |
| Fluktuacja w zakresie | ≤ 2 | dB | wartość od szczytu do szczytu |
| Emisja fałszywa (działająca w obrębie pasma) | ≤ 15 dBm/1MHz | dBm | Badanie częstotliwości środkowej + sygnału CW do maksymalnej mocy wyjściowej |
| Emisja fałszywa (działająca poza zakresem, 9KHz ∼1GHz) | Brak fal hałasu powyżej normalnej podstawy | dBm | / |
| Emisja fałszywa (działająca poza zakresem pasma, 1G ≈ 12,75 GHz) | Brak fal hałasu powyżej normalnej podstawy | dBm | / |
| Wyjście VSWR (bez uruchamiania) | ≤ 1.30 | / | Brak zasilania: Standardowa moc wyjściowa sieci -10 dBm |
| Wyjście VSWR (włączanie mocy) | ≤ 1.30 | / | Włączanie energii: badanie sprzęgła dwukierunkowego |
| Badanie wysokiej i niskiej temperatury (temperatura otoczenia roboczego) | -10~+55 | °C | Kompatybilny z zimnym uruchomieniem |
| Badanie wysokiej i niskiej temperatury (stabilność zysku) | ±1,5 dB @ -40°C~+55°C | dB | / |
| Badanie wysokiej i niskiej temperatury (stabilność mocy) | ±1dB @ -40°C~+55°C | dB | / |
| Wymagania dotyczące zasilania | ≥8A@+28Vdc | / | Wynik ciągłej fali (100 W) |
| Port zasilania | Kabel zasilania: czerwony dodatni/czarny ujemny | / | Czerwona pozytywna, czarna ujemna biegunowość |
| Złącze wyjściowe RF | SMA | / | SMA Zewnętrzna podstawa śruby |
A: Moduły70-100W wysokiej mocy wyjściowejumożliwia zasięg zakłóceń dalekiego zasięgu, co czyni go idealnym rozwiązaniem dla dużych obiektów (np. dużych portów lotniczych, dużych miejsc imprez).Wsparcie szerokiego pasma częstotliwości zapewnia również kompatybilność z większością komercyjnych protokołów komunikacji dronów.
A: -LDMOS: zapewnia stabilną wydajność przy zrównoważonych kosztach, nadaje się do ogólnego zakłócania dronu o dużej mocy.
A: Tak.Zastosowana częstotliwośćW przypadku zamówień hurtowych można również omówić dostosowanie napięcia (powyżej 28 32 V), czynnika kształtu lub złączy.
Odpowiedź: Tak. Zakres temperatury roboczej wynosi od -10°C do +55°C i jest poddawany rygorystycznym badaniom wysokiej i niskiej temperatury (wahania zysku ≤±1,5 dB, wahania mocy ≤±1 dB),zapewnienie niezawodności w trudnych warunkach zewnętrznych.
A: Moduł wymaga ≥8A@+28Vdc dla zasilania (aby obsłużyć 100W ciągłej fali wyjściowej).Czerwony pozytywny, czarny negatywny.Polaryzacja sygnałów RFPodstawa śruby zewnętrznej SMA. Zapewnić prawidłową biegunowość zasilania i kompatybilność z łącznikiem RF podczas instalacji.
